三星全套半导体解决方案演示IT新纪元

    9月20日，全球先进半导体技术的领导厂商，三星电子在汉城新罗饭店的新闻发布会上，向外界宣布了其最新技术成果和全盘营销战略。这些技术成就加强了三星全套的解决方案战略，其中包括最精细的60纳米级8Gb NAND闪存，最高密度的2Gb DDR2 SDRAM和运转速度最快的667MHz CPU 核心元件。
　　
    三星先进的60纳米级(相当于人类头发的千分之二粗细)工艺流程，开发出业界最小的存储单元，面积仅为0.0082nm2，比去年开发的70纳米级4Gb NAND闪存的元件尺寸减少了将近30%。如此高密度和精密的线路设计关键在于3-D晶体管的构造，以及使元件间干扰最小化的高绝缘技术。此外，通过采用目前广泛应用的氪氟微影技术，使成本减少了50%。
　　
    高密度的DDR2解决方案，不仅能提升服务器和工作站的性能，还能促使快速内存的深入应用，如用实时视频会议、远程医疗服务、双向通讯联系以及3-D画面。DDR2 SDRAM是由三星采用先进的80nm工艺流程开发而成，突破了业界2Gb DRAM产品准65nm级线路的技术限制。此款DRAM新技术在3-D晶体管技术、凹道排列晶体管以及元件构件流程新概念方面取得了突破。
　　
    运行速度为667MHz 的移动CPU有望用于不同型号的多媒体3G手机，如智能手机和PDA。三星在集成电路设计时通过引入传统的构造设计方案提升了手机CPU的运行速度，而CPU所配置的64KB高速缓冲存储器还能支持无线视频图像和高密度多媒体服务。新款CPU不仅拥有当前手机CPU的所有特征，而且内置的无线浮点运算器还能同时进行不规则的小数和整数运算，因此设计师采用此技术可以改善画质、3-D游戏功能以及数字视频功能。
　　
    三星在其所拥有的优势存储产品中，融入了诸如MCP、 SiP融合存储器、多种性能的单片封装或者单晶硅等技术新概念，并一直强调其战略业务的杠杆作用，例如，LSI系统业务中的CMOS摄像传感器、IC智能卡以及移动应用处理器，因而在竞争日益激烈的市场上定位更加多样化和与众不同。

 

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